件：“这是tcv装置的真空室和冷屏结构设计图。看这里，它的剖面形态和导体回路设计，明显是基于经典的‘普林斯顿-d’型方案衍生而来。”
“但这种设计在处理高场强下的瞬态电磁过程时，存在固有的涡流密度计算误差，会导致环向场磁力线的中心线与环形等离子体的实际内边界之间产生电磁干涉。这种干涉效应会显著加剧等离子体的不稳定性，极易诱发快速向上的垂直位移事件（vde）……”